NGTG15N60S1EG
NGTG15N60S1EG
Modello di prodotti:
NGTG15N60S1EG
fabbricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione:
IGBT 600V 30A 117W TO220-3
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità:
59619 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
NGTG15N60S1EG.pdf

introduzione

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Specifiche

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Distributore Boser Technology
Tensione - rottura collettore-emettitore (max):600V
Vce (on) (max) a VGE, Ic:1.7V @ 15V, 15A
Condizione di test:400V, 15A, 22 Ohm, 15V
Td (on / off) @ 25 ° C:65ns/170ns
di scambio energetico:550µJ (on), 350µJ (off)
Contenitore dispositivo fornitore:TO-220
Serie:-
Potenza - Max:117W
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-220-3
Altri nomi:NGTG15N60S1EG-ND
NGTG15N60S1EGOS
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Tipo di ingresso:Standard
Tipo IGBT:NPT
carica gate:88nC
Descrizione dettagliata:IGBT NPT 600V 30A 117W Through Hole TO-220
Corrente - collettore Pulsed (Icm):120A
Corrente - collettore (Ic) (max):30A
Email:[email protected]

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