NGTG15N60S1EG
NGTG15N60S1EG
Artikelnummer:
NGTG15N60S1EG
Hersteller:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung:
IGBT 600V 30A 117W TO220-3
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Bleifrei / RoHS-konform
Anzahl:
59619 Pieces
Lieferzeit:
1-2 days
Datenblatt:
NGTG15N60S1EG.pdf

Einführung

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Spezifikation

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Verteiler Boser Technology
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):600V
VCE (on) (Max) @ Vge, Ic:1.7V @ 15V, 15A
Testbedingung:400V, 15A, 22 Ohm, 15V
Td (ein / aus) bei 25 ° C:65ns/170ns
Schaltenergie:550µJ (on), 350µJ (off)
Supplier Device-Gehäuse:TO-220
Serie:-
Leistung - max:117W
Verpackung:Tube
Verpackung / Gehäuse:TO-220-3
Andere Namen:NGTG15N60S1EG-ND
NGTG15N60S1EGOS
Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL):1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status:Lead free / RoHS Compliant
Eingabetyp:Standard
IGBT-Typ:NPT
Gate-Ladung:88nC
detaillierte Beschreibung:IGBT NPT 600V 30A 117W Through Hole TO-220
Strom - Collector Pulsed (Icm):120A
Strom - Kollektor (Ic) (max):30A
Email:[email protected]

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