NGTG20N60L2TF1G
NGTG20N60L2TF1G
Modello di prodotti:
NGTG20N60L2TF1G
fabbricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione:
IGBT 600V 40A 64W TO-3PF
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità:
44426 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
NGTG20N60L2TF1G.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New and Original
Origine Contact us
Distributore Boser Technology
Tensione - rottura collettore-emettitore (max):600V
Vce (on) (max) a VGE, Ic:1.65V @ 15V, 20A
Condizione di test:300V, 20A, 30 Ohm, 15V
Td (on / off) @ 25 ° C:60ns/193ns
di scambio energetico:-
Serie:-
Potenza - Max:64W
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-3P-3 Full Pack
Altri nomi:NGTG20N60L2TF1GOS
temperatura di esercizio:175°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:4 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Tipo di ingresso:Standard
Tipo IGBT:-
carica gate:84nC
Descrizione dettagliata:IGBT 600V 40A 64W Through Hole
Corrente - collettore Pulsed (Icm):105A
Corrente - collettore (Ic) (max):40A
Email:[email protected]

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