NTMD6N03R2G
제품 모델:
NTMD6N03R2G
제조사:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
기술:
MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC
[LeadFreeStatus]未找到翻译
무연 / RoHS 준수
수량:
52888 Pieces
배달 시간:
1-2 days
데이터 시트:
NTMD6N03R2G.pdf

소개

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살수 장치 Boser Technology
아이디 @ VGS (일) (최대):2.5V @ 250µA
제조업체 장치 패키지:8-SOIC
연속:-
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대):32 mOhm @ 6A, 10V
전력 - 최대:1.29W
포장:Tape & Reel (TR)
패키지 / 케이스:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
다른 이름들:NTMD6N03R2GOS
NTMD6N03R2GOS-ND
NTMD6N03R2GOSTR
작동 온도:-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형:Surface Mount
수분 민감도 (MSL):1 (Unlimited)
제조업체 표준 리드 타임:12 Weeks
무연 여부 / RoHS 준수 여부:Lead free / RoHS Compliant
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds:950pF @ 24V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs:30nC @ 10V
FET 유형:2 N-Channel (Dual)
FET 특징:Logic Level Gate
소스 전압에 드레인 (Vdss):30V
상세 설명:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 6A 1.29W Surface Mount 8-SOIC
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id):6A
기본 부품 번호:NTMD6N03
Email:[email protected]

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