NTMD6N03R2G
部品型番:
NTMD6N03R2G
メーカー:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
説明:
MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC
[LeadFreeStatus]未找到翻译
鉛フリー/ RoHS準拠
数量:
52888 Pieces
配達時間:
1-2 days
データシート:
NTMD6N03R2G.pdf

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規格

状況 New and Original
出典 Contact us
配給業者 Boser Technology
同上@ VGS(TH)(最大):2.5V @ 250µA
サプライヤデバイスパッケージ:8-SOIC
シリーズ:-
同上、Vgsは@ RDSで、(最大):32 mOhm @ 6A, 10V
電力 - 最大:1.29W
パッケージング:Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
他の名前:NTMD6N03R2GOS
NTMD6N03R2GOS-ND
NTMD6N03R2GOSTR
運転温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ:Surface Mount
水分感受性レベル(MSL):1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム:12 Weeks
鉛フリーステータス/ RoHSステータス:Lead free / RoHS Compliant
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds:950pF @ 24V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs:30nC @ 10V
FETタイプ:2 N-Channel (Dual)
FET特長:Logic Level Gate
ソース電圧(VDSS)にドレイン:30V
詳細な説明:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 6A 1.29W Surface Mount 8-SOIC
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id):6A
ベース部品番号:NTMD6N03
Email:[email protected]

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