NTMD6N03R2G
型號:
NTMD6N03R2G
製造商:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
描述:
MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC
[LeadFreeStatus]未找到翻译
無鉛/符合RoHS
數量:
52888 Pieces
發貨時間:
1-2 days
數據表:
NTMD6N03R2G.pdf

簡單介紹

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產品特性

狀況 New and Original
來源 Contact us
分銷商 Boser Technology
VGS(TH)(最大)@標識:2.5V @ 250µA
供應商設備封裝:8-SOIC
系列:-
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓:32 mOhm @ 6A, 10V
功率 - 最大:1.29W
封装:Tape & Reel (TR)
封裝/箱體:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
其他名稱:NTMD6N03R2GOS
NTMD6N03R2GOS-ND
NTMD6N03R2GOSTR
工作溫度:-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型:Surface Mount
濕度敏感度等級(MSL):1 (Unlimited)
製造商標準交貨期:12 Weeks
無鉛狀態/ RoHS狀態:Lead free / RoHS Compliant
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds:950pF @ 24V
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs:30nC @ 10V
FET型:2 N-Channel (Dual)
FET特點:Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss):30V
詳細說明:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 6A 1.29W Surface Mount 8-SOIC
電流 - 25°C連續排水(Id):6A
基礎部件號:NTMD6N03
Email:[email protected]

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