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IRF9952
- 제품 모델:
- IRF9952
- 기술:
- MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC
- [LeadFreeStatus]未找到翻译
- 납 함유 / RoHS 비 준수
- 수량:
- 36192 Pieces
- 배달 시간:
- 1-2 days
- 데이터 시트:
- IRF9952.pdf
소개
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규격
| 조건 | New and Original |
|---|---|
| 유래 | Contact us |
| 살수 장치 | Boser Technology |
| 아이디 @ VGS (일) (최대): | 1V @ 250µA |
| 제조업체 장치 패키지: | 8-SO |
| 연속: | HEXFET® |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대): | 100 mOhm @ 2.2A, 10V |
| 전력 - 최대: | 2W |
| 포장: | Tube |
| 패키지 / 케이스: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| 다른 이름들: | *IRF9952 SP001563782 |
| 작동 온도: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 실장 형: | Surface Mount |
| 수분 민감도 (MSL): | 1 (Unlimited) |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: | 190pF @ 15V |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs: | 14nC @ 10V |
| FET 유형: | N and P-Channel |
| FET 특징: | Logic Level Gate |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss): | 30V |
| 상세 설명: | Mosfet Array N and P-Channel 30V 3.5A, 2.3A 2W Surface Mount 8-SO |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id): | 3.5A, 2.3A |
| Email: | [email protected] |
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