| Condição | New and Original |
|---|---|
| Origem | Contact us |
| Distribuidor | Boser Technology |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 1V @ 250µA |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | 8-SO |
| Série: | HEXFET® |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS: | 100 mOhm @ 2.2A, 10V |
| Power - Max: | 2W |
| Embalagem: | Tube |
| Caixa / Gabinete: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Outros nomes: | *IRF9952 SP001563782 |
| Temperatura de operação: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem: | Surface Mount |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status sem chumbo / status de RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 190pF @ 15V |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs: | 14nC @ 10V |
| Tipo FET: | N and P-Channel |
| Característica FET: | Logic Level Gate |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss): | 30V |
| Descrição detalhada: | Mosfet Array N and P-Channel 30V 3.5A, 2.3A 2W Surface Mount 8-SO |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C: | 3.5A, 2.3A |
| Email: | [email protected] |
