| État | New and Original |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Distributeur | Boser Technology |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 1V @ 250µA |
| Package composant fournisseur: | 8-SO |
| Séries: | HEXFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 100 mOhm @ 2.2A, 10V |
| Puissance - Max: | 2W |
| Emballage: | Tube |
| Package / Boîte: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Autres noms: | *IRF9952 SP001563782 |
| Température de fonctionnement: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 190pF @ 15V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 14nC @ 10V |
| type de FET: | N and P-Channel |
| Fonction FET: | Logic Level Gate |
| Tension drain-source (Vdss): | 30V |
| Description détaillée: | Mosfet Array N and P-Channel 30V 3.5A, 2.3A 2W Surface Mount 8-SO |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 3.5A, 2.3A |
| Email: | [email protected] |
