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조건 | New and Original |
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유래 | Contact us |
살수 장치 | Boser Technology |
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대): | 50V |
IB, IC에서 @ VCE 채도 (최대): | 250mV @ 10mA, 100mA |
트랜지스터 유형: | NPN, PNP |
제조업체 장치 패키지: | US6 |
연속: | - |
전력 - 최대: | 200mW, 210mW |
포장: | Tape & Reel (TR) |
패키지 / 케이스: | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
다른 이름들: | HN1B01FU-GR(L,F,T) HN1B01FU-GR,LF(B HN1B01FU-GR,LF(T HN1B01FU-GRLF HN1B01FU-GRLF-ND HN1B01FU-GRLFTR HN1B01FUGRLFT HN1B01FUGRLFTTR HN1B01FUGRLFTTR-ND |
작동 온도: | 125°C (TJ) |
실장 형: | Surface Mount |
수분 민감도 (MSL): | 1 (Unlimited) |
제조업체 표준 리드 타임: | 12 Weeks |
무연 여부 / RoHS 준수 여부: | Lead free / RoHS Compliant |
주파수 - 전환: | 150MHz |
상세 설명: | Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 50V 150mA 150MHz 200mW, 210mW Surface Mount US6 |
IC에서 @ DC 전류 이득 (HFE) (최소), Vce가: | 200 @ 2mA, 6V |
전류 - 콜렉터 컷오프 (최대): | 100nA (ICBO) |
전류 - 콜렉터 (IC) (최대): | 150mA |
Email: | [email protected] |