HN1B01FU-GR,LF
HN1B01FU-GR,LF
型號:
HN1B01FU-GR,LF
製造商:
Toshiba Semiconductor and Storage
描述:
TRANS NPN/PNP 50V 0.15A US6-PLN
[LeadFreeStatus]未找到翻译
無鉛/符合RoHS
數量:
61753 Pieces
發貨時間:
1-2 days
數據表:
HN1B01FU-GR,LF.pdf

簡單介紹

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產品特性

狀況 New and Original
來源 Contact us
分銷商 Boser Technology
電壓 - 集電極發射極擊穿(最大):50V
Vce飽和(最大)@ IB,IC:250mV @ 10mA, 100mA
晶體管類型:NPN, PNP
供應商設備封裝:US6
系列:-
功率 - 最大:200mW, 210mW
封装:Tape & Reel (TR)
封裝/箱體:6-TSSOP, SC-88, SOT-363
其他名稱:HN1B01FU-GR(L,F,T)
HN1B01FU-GR,LF(B
HN1B01FU-GR,LF(T
HN1B01FU-GRLF
HN1B01FU-GRLF-ND
HN1B01FU-GRLFTR
HN1B01FUGRLFT
HN1B01FUGRLFTTR
HN1B01FUGRLFTTR-ND
工作溫度:125°C (TJ)
安裝類型:Surface Mount
濕度敏感度等級(MSL):1 (Unlimited)
製造商標準交貨期:12 Weeks
無鉛狀態/ RoHS狀態:Lead free / RoHS Compliant
頻率 - 轉換:150MHz
詳細說明:Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 50V 150mA 150MHz 200mW, 210mW Surface Mount US6
直流電流增益(HFE)(最小值)@ IC,的Vce:200 @ 2mA, 6V
電流 - 集電極截止(最大):100nA (ICBO)
電流 - 集電極(Ic)(最大):150mA
Email:[email protected]

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