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状況 | New and Original |
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出典 | Contact us |
配給業者 | Boser Technology |
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大): | 50V |
IB、IC @ Vce飽和(最大): | 250mV @ 10mA, 100mA |
トランジスタ型式: | NPN, PNP |
サプライヤデバイスパッケージ: | US6 |
シリーズ: | - |
電力 - 最大: | 200mW, 210mW |
パッケージング: | Tape & Reel (TR) |
パッケージ/ケース: | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
他の名前: | HN1B01FU-GR(L,F,T) HN1B01FU-GR,LF(B HN1B01FU-GR,LF(T HN1B01FU-GRLF HN1B01FU-GRLF-ND HN1B01FU-GRLFTR HN1B01FUGRLFT HN1B01FUGRLFTTR HN1B01FUGRLFTTR-ND |
運転温度: | 125°C (TJ) |
装着タイプ: | Surface Mount |
水分感受性レベル(MSL): | 1 (Unlimited) |
メーカーの標準リードタイム: | 12 Weeks |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: | Lead free / RoHS Compliant |
周波数 - トランジション: | 150MHz |
詳細な説明: | Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 50V 150mA 150MHz 200mW, 210mW Surface Mount US6 |
Icを、Vceは@ DC電流ゲイン(hFEの)(最小): | 200 @ 2mA, 6V |
電流 - コレクタ遮断(最大): | 100nA (ICBO) |
電流 - コレクタ(Ic)(Max): | 150mA |
Email: | [email protected] |