EMG9T2R
EMG9T2R
제품 모델:
EMG9T2R
제조사:
LAPIS Semiconductor
기술:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT5
[LeadFreeStatus]未找到翻译
무연 / RoHS 준수
수량:
64004 Pieces
배달 시간:
1-2 days
데이터 시트:
1.EMG9T2R.pdf2.EMG9T2R.pdf

소개

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살수 장치 Boser Technology
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대):50V
IB, IC에서 @ VCE 채도 (최대):300mV @ 500µA, 10mA
트랜지스터 유형:2 NPN - Pre-Biased (Dual)
제조업체 장치 패키지:EMT5
연속:-
저항기 - 이미 터베이스 (R2):10 kOhms
저항기 -베이스 (R1):10 kOhms
전력 - 최대:150mW
포장:Cut Tape (CT)
패키지 / 케이스:6-SMD (5 Leads), Flat Lead
다른 이름들:EMG9T2RCT
실장 형:Surface Mount
수분 민감도 (MSL):1 (Unlimited)
무연 여부 / RoHS 준수 여부:Lead free / RoHS Compliant
주파수 - 전환:250MHz
상세 설명:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT5
IC에서 @ DC 전류 이득 (HFE) (최소), Vce가:30 @ 5mA, 5V
전류 - 콜렉터 컷오프 (최대):500nA
전류 - 콜렉터 (IC) (최대):100mA
기본 부품 번호:*MG9
Email:[email protected]

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