| Stav | New and Original |
|---|---|
| Původ | Contact us |
| Distributor | Boser Technology |
| Napětí - kolektoru emitoru Breakdown (Max): | 50V |
| VCE Saturation (Max) @ IB, IC: | 300mV @ 500µA, 10mA |
| Transistor Type: | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
| Dodavatel zařízení Package: | EMT5 |
| Série: | - |
| Resistor - emitorová základna (R2): | 10 kOhms |
| Rezistor - základna (R1): | 10 kOhms |
| Power - Max: | 150mW |
| Obal: | Cut Tape (CT) |
| Paket / krabice: | 6-SMD (5 Leads), Flat Lead |
| Ostatní jména: | EMG9T2RCT |
| Typ montáže: | Surface Mount |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Stav volného vedení / RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Frekvence - Přechod: | 250MHz |
| Detailní popis: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT5 |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: | 30 @ 5mA, 5V |
| Aktuální - sběratel Cutoff (Max): | 500nA |
| Proud - Collector (Ic) (Max): | 100mA |
| Číslo základní části: | *MG9 |
| Email: | [email protected] |
