| Điều kiện | New and Original |
|---|---|
| Gốc | Contact us |
| Nhà phân phối | Boser Technology |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): | 50V |
| VCE Saturation (Max) @ Ib, Ic: | 300mV @ 500µA, 10mA |
| Loại bóng bán dẫn: | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
| Gói thiết bị nhà cung cấp: | EMT5 |
| Loạt: | - |
| Điện trở - Cơ sở Emitter (R2): | 10 kOhms |
| Điện trở - Cơ sở (R1): | 10 kOhms |
| Power - Max: | 150mW |
| Bao bì: | Cut Tape (CT) |
| Gói / Case: | 6-SMD (5 Leads), Flat Lead |
| Vài cái tên khác: | EMG9T2RCT |
| gắn Loại: | Surface Mount |
| Độ nhạy độ ẩm (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tình trạng miễn phí / Tình trạng RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Tần số - Transition: | 250MHz |
| miêu tả cụ thể: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT5 |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, VCE: | 30 @ 5mA, 5V |
| Hiện tại - Collector Cutoff (Max): | 500nA |
| Hiện tại - Collector (Ic) (Max): | 100mA |
| Số phần cơ sở: | *MG9 |
| Email: | [email protected] |
