| État | New and Original |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Distributeur | Boser Technology |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 3.8V @ 250µA |
| Vgs (Max): | ±30V |
| La technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur: | 4-DFN-EP (8x8) |
| Séries: | aMOS™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 360 mOhm @ 7.5A, 10V |
| Dissipation de puissance (max): | 8.3W (Ta), 208W (Tc) |
| Emballage: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte: | 4-PowerTSFN |
| Autres noms: | 785-1684-2 |
| Température de fonctionnement: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 717pF @ 100V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 15.6nC @ 10V |
| type de FET: | N-Channel |
| Fonction FET: | - |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé): | 10V |
| Tension drain-source (Vdss): | 600V |
| Description détaillée: | N-Channel 600V 520mA (Ta), 12A (Tc) 8.3W (Ta), 208W (Tc) Surface Mount 4-DFN-EP (8x8) |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 520mA (Ta), 12A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
