IPB80N06S2L07ATMA1
IPB80N06S2L07ATMA1
Modèle de produit:
IPB80N06S2L07ATMA1
Fabricant:
International Rectifier (Infineon Technologies)
La description:
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité:
58382 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
IPB80N06S2L07ATMA1.pdf

introduction

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Spécifications

État New and Original
Origine Contact us
Distributeur Boser Technology
Vgs (th) (Max) @ Id:2V @ 150µA
Vgs (Max):±20V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:PG-TO263-3-2
Séries:OptiMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:6.7 mOhm @ 60A, 10V
Dissipation de puissance (max):210W (Tc)
Emballage:Tape & Reel (TR)
Package / Boîte:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Autres noms:IPB80N06S2L-07
IPB80N06S2L-07-ND
IPB80N06S2L07ATMA1TR
SP000218867
Température de fonctionnement:-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:3160pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:130nC @ 10V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):4.5V, 10V
Tension drain-source (Vdss):55V
Description détaillée:N-Channel 55V 80A (Tc) 210W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:80A (Tc)
Email:[email protected]

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