AOV20S60
AOV20S60
Modèle de produit:
AOV20S60
Fabricant:
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
La description:
MOSFET N-CH 600V 18A 5DFB
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité:
59523 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
1.AOV20S60.pdf2.AOV20S60.pdf

introduction

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Spécifications

État New and Original
Origine Contact us
Distributeur Boser Technology
Vgs (th) (Max) @ Id:4.1V @ 250µA
Vgs (Max):±30V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:4-DFN-EP (8x8)
Séries:aMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:250 mOhm @ 10A, 10V
Dissipation de puissance (max):8.3W (Ta), 278W (Tc)
Emballage:Tape & Reel (TR)
Package / Boîte:4-PowerTSFN
Autres noms:785-1685-2
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):3 (168 Hours)
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:1038pF @ 100V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:20nC @ 10V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):10V
Tension drain-source (Vdss):600V
Description détaillée:N-Channel 600V 3.6A (Ta), 18A (Tc) 8.3W (Ta), 278W (Tc) Surface Mount 4-DFN-EP (8x8)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:3.6A (Ta), 18A (Tc)
Email:[email protected]

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