| Condición | New and Original |
|---|---|
| Origen | Contact us |
| Distribuidor | Boser Technology |
| VGS (th) (Max) @Id: | 4.1V @ 250µA |
| Vgs (Max): | ±30V |
| Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo: | 4-DFN-EP (8x8) |
| Serie: | aMOS™ |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 250 mOhm @ 10A, 10V |
| La disipación de energía (máximo): | 8.3W (Ta), 278W (Tc) |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | 4-PowerTSFN |
| Otros nombres: | 785-1685-2 |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Estado sin plomo / Estado RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 1038pF @ 100V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 20nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica de FET: | - |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 600V |
| Descripción detallada: | N-Channel 600V 3.6A (Ta), 18A (Tc) 8.3W (Ta), 278W (Tc) Surface Mount 4-DFN-EP (8x8) |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 3.6A (Ta), 18A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
