| Stav | New and Original |
|---|---|
| Původ | Contact us |
| Distributor | Boser Technology |
| Vgs (th) (max) 'Id: | 4.1V @ 250µA |
| Vgs (Max): | ±30V |
| Technika: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Dodavatel zařízení Package: | 4-DFN-EP (8x8) |
| Série: | aMOS™ |
| RDS On (Max) @ Id, Vgs: | 250 mOhm @ 10A, 10V |
| Ztráta energie (Max): | 8.3W (Ta), 278W (Tc) |
| Obal: | Tape & Reel (TR) |
| Paket / krabice: | 4-PowerTSFN |
| Ostatní jména: | 785-1685-2 |
| Provozní teplota: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Typ montáže: | Surface Mount |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Stav volného vedení / RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds: | 1038pF @ 100V |
| Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs: | 20nC @ 10V |
| Typ FET: | N-Channel |
| FET Feature: | - |
| Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.): | 10V |
| Drain na zdroj napětí (Vdss): | 600V |
| Detailní popis: | N-Channel 600V 3.6A (Ta), 18A (Tc) 8.3W (Ta), 278W (Tc) Surface Mount 4-DFN-EP (8x8) |
| Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C: | 3.6A (Ta), 18A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
