| Condizione | New and Original |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Distributore | Boser Technology |
| Vgs (th) (max) a Id: | 3.8V @ 250µA |
| Vgs (Max): | ±30V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | 4-DFN-EP (8x8) |
| Serie: | aMOS™ |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 360 mOhm @ 7.5A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 8.3W (Ta), 208W (Tc) |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | 4-PowerTSFN |
| Altri nomi: | 785-1684-2 |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 717pF @ 100V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 15.6nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Tensione drain-source (Vdss): | 600V |
| Descrizione dettagliata: | N-Channel 600V 520mA (Ta), 12A (Tc) 8.3W (Ta), 208W (Tc) Surface Mount 4-DFN-EP (8x8) |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 520mA (Ta), 12A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
