| Condizione | New and Original |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Distributore | Boser Technology |
| Vgs (th) (max) a Id: | 2.5V @ 250µA |
| Vgs (Max): | ±20V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | PowerPAK® 1212-8 |
| Serie: | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 21 mOhm @ 12A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 62.5W (Tc) |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | PowerPAK® 1212-8 |
| Altri nomi: | SQS423EN-T1_GE3-ND SQS423EN-T1_GE3TR |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 1975pF @ 15V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 26nC @ 4.5V |
| Tipo FET: | P-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 4.5V, 10V |
| Tensione drain-source (Vdss): | 30V |
| Descrizione dettagliata: | P-Channel 30V 16A (Tc) 62.5W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 16A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
