| Condição | New and Original |
|---|---|
| Origem | Contact us |
| Distribuidor | Boser Technology |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 2.5V @ 250µA |
| Vgs (Max): | ±20V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | PowerPAK® 1212-8 |
| Série: | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS: | 21 mOhm @ 12A, 10V |
| Dissipação de energia (Max): | 62.5W (Tc) |
| Embalagem: | Tape & Reel (TR) |
| Caixa / Gabinete: | PowerPAK® 1212-8 |
| Outros nomes: | SQS423EN-T1_GE3-ND SQS423EN-T1_GE3TR |
| Temperatura de operação: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montagem: | Surface Mount |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 1975pF @ 15V |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs: | 26nC @ 4.5V |
| Tipo FET: | P-Channel |
| Característica FET: | - |
| Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado): | 4.5V, 10V |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss): | 30V |
| Descrição detalhada: | P-Channel 30V 16A (Tc) 62.5W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8 |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C: | 16A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
