| Şart | New and Original |
|---|---|
| Menşei | Contact us |
| Distribütör | Boser Technology |
| Id @ Vgs (th) (Max): | 2.5V @ 250µA |
| Vgs (Maks.): | ±20V |
| teknoloji: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tedarikçi Cihaz Paketi: | PowerPAK® 1212-8 |
| Dizi: | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
| Id, VGS @ rds On (Max): | 21 mOhm @ 12A, 10V |
| Güç Tüketimi (Max): | 62.5W (Tc) |
| paketleme: | Tape & Reel (TR) |
| Paket / Kutu: | PowerPAK® 1212-8 |
| Diğer isimler: | SQS423EN-T1_GE3-ND SQS423EN-T1_GE3TR |
| Çalışma sıcaklığı: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| bağlantı Tipi: | Surface Mount |
| Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds: | 1975pF @ 15V |
| Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs: | 26nC @ 4.5V |
| FET Tipi: | P-Channel |
| FET Özelliği: | - |
| Sürücü Gerilimi (Maks Rd, Min Rd Salı): | 4.5V, 10V |
| Kaynak Gerilim boşaltın (VDSlerin): | 30V |
| Detaylı Açıklama: | P-Channel 30V 16A (Tc) 62.5W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8 |
| Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id): | 16A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
