| Tillstånd | New and Original |
|---|---|
| Ursprung | Contact us |
| Distributör | Boser Technology |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 3.8V @ 250µA |
| Vgs (Max): | ±30V |
| Teknologi: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Leverantörs Device Package: | 4-DFN-EP (8x8) |
| Serier: | aMOS™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 360 mOhm @ 7.5A, 10V |
| Effektdissipation (Max): | 8.3W (Ta), 208W (Tc) |
| Förpackning: | Tape & Reel (TR) |
| Förpackning / Fodral: | 4-PowerTSFN |
| Andra namn: | 785-1684-2 |
| Driftstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Monteringstyp: | Surface Mount |
| Fuktkänslighetsnivå (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Ledningsfri status / RoHS-status: | Lead free / RoHS Compliant |
| Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds: | 717pF @ 100V |
| Gate Laddning (Qg) (Max) @ Vgs: | 15.6nC @ 10V |
| FET-typ: | N-Channel |
| FET-funktionen: | - |
| Drivspänning (Max Rds På, Min Rds På): | 10V |
| Avlopp till källspänning (Vdss): | 600V |
| detaljerad beskrivning: | N-Channel 600V 520mA (Ta), 12A (Tc) 8.3W (Ta), 208W (Tc) Surface Mount 4-DFN-EP (8x8) |
| Ström - Kontinuerlig avlopp (Id) @ 25 ° C: | 520mA (Ta), 12A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
