SIZ900DT-T1-GE3
SIZ900DT-T1-GE3
型號:
SIZ900DT-T1-GE3
製造商:
Electro-Films (EFI) / Vishay
描述:
MOSFET 2N-CH 30V 24A POWERPAIR
[LeadFreeStatus]未找到翻译
無鉛/符合RoHS
數量:
95182 Pieces
發貨時間:
1-2 days
數據表:
SIZ900DT-T1-GE3.pdf

簡單介紹

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產品特性

狀況 New and Original
來源 Contact us
分銷商 Boser Technology
VGS(TH)(最大)@標識:2.4V @ 250µA
供應商設備封裝:6-PowerPair™
系列:TrenchFET®
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓:7.2 mOhm @ 19.4A, 10V
功率 - 最大:48W, 100W
封装:Cut Tape (CT)
封裝/箱體:6-PowerPair™
其他名稱:SIZ900DT-T1-GE3CT
工作溫度:-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型:Surface Mount
濕度敏感度等級(MSL):1 (Unlimited)
無鉛狀態/ RoHS狀態:Lead free / RoHS Compliant
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds:1830pF @ 15V
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs:45nC @ 10V
FET型:2 N-Channel (Half Bridge)
FET特點:Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss):30V
詳細說明:Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 24A, 28A 48W, 100W Surface Mount 6-PowerPair™
電流 - 25°C連續排水(Id):24A, 28A
基礎部件號:SIZ900
Email:[email protected]

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