SIZ926DT-T1-GE3
SIZ926DT-T1-GE3
型號:
SIZ926DT-T1-GE3
製造商:
Electro-Films (EFI) / Vishay
描述:
MOSFET 2 N-CH 25V 8-POWERPAIR
[LeadFreeStatus]未找到翻译
無鉛/符合RoHS
數量:
25123 Pieces
發貨時間:
1-2 days
數據表:
SIZ926DT-T1-GE3.pdf

簡單介紹

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產品特性

狀況 New and Original
來源 Contact us
分銷商 Boser Technology
VGS(TH)(最大)@標識:2.2V @ 250µA
供應商設備封裝:8-PowerPair® (6x5)
系列:TrenchFET® Gen IV
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓:4.8 mOhm @ 5A, 10V, 2.2 mOhm @ 8A, 10V
功率 - 最大:20.2W, 40W
封装:Original-Reel®
封裝/箱體:8-PowerWDFN
其他名稱:SIZ926DT-T1-GE3DKR
工作溫度:-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型:Surface Mount
濕度敏感度等級(MSL):1 (Unlimited)
製造商標準交貨期:32 Weeks
無鉛狀態/ RoHS狀態:Lead free / RoHS Compliant
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds:925pF @ 10V, 2150pF @ 10V
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs:19nC @ 10V, 41nC @ 10V
FET型:2 N-Channel (Dual)
FET特點:Standard
漏極至源極電壓(Vdss):25V
詳細說明:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 25V 40A (Tc), 60A (Tc) 20.2W, 40W Surface Mount 8-PowerPair® (6x5)
電流 - 25°C連續排水(Id):40A (Tc), 60A (Tc)
Email:[email protected]

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