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狀況 | New and Original |
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來源 | Contact us |
分銷商 | Boser Technology |
VGS(TH)(最大)@標識: | 1V @ 250µA |
供應商設備封裝: | PowerPAK® ChipFet Dual |
系列: | TrenchFET® |
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓: | 39 mOhm @ 4.4A, 4.5V |
功率 - 最大: | 8.3W |
封装: | Cut Tape (CT) |
封裝/箱體: | PowerPAK® ChipFET™ Dual |
其他名稱: | SI5517DU-T1-E3CT SI5517DUT1E3 |
工作溫度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
安裝類型: | Surface Mount |
濕度敏感度等級(MSL): | 1 (Unlimited) |
無鉛狀態/ RoHS狀態: | Lead free / RoHS Compliant |
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds: | 520pF @ 10V |
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs: | 16nC @ 8V |
FET型: | N and P-Channel |
FET特點: | Logic Level Gate |
漏極至源極電壓(Vdss): | 20V |
詳細說明: | Mosfet Array N and P-Channel 20V 6A 8.3W Surface Mount PowerPAK® ChipFet Dual |
電流 - 25°C連續排水(Id): | 6A |
基礎部件號: | SI5517 |
Email: | [email protected] |