| Şart | New and Original |
|---|---|
| Menşei | Contact us |
| Distribütör | Boser Technology |
| Id @ Vgs (th) (Max): | 1V @ 250µA |
| Tedarikçi Cihaz Paketi: | PowerPAK® ChipFet Dual |
| Dizi: | TrenchFET® |
| Id, VGS @ rds On (Max): | 39 mOhm @ 4.4A, 4.5V |
| Güç - Max: | 8.3W |
| paketleme: | Cut Tape (CT) |
| Paket / Kutu: | PowerPAK® ChipFET™ Dual |
| Diğer isimler: | SI5517DU-T1-E3CT SI5517DUT1E3 |
| Çalışma sıcaklığı: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| bağlantı Tipi: | Surface Mount |
| Nem Hassasiyeti Seviyesi (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Kurşunsuz Durum / RoHS Durumu: | Lead free / RoHS Compliant |
| Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds: | 520pF @ 10V |
| Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs: | 16nC @ 8V |
| FET Tipi: | N and P-Channel |
| FET Özelliği: | Logic Level Gate |
| Kaynak Gerilim boşaltın (VDSlerin): | 20V |
| Detaylı Açıklama: | Mosfet Array N and P-Channel 20V 6A 8.3W Surface Mount PowerPAK® ChipFet Dual |
| Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id): | 6A |
| Temel Parça Numarası: | SI5517 |
| Email: | [email protected] |
