QJD1210010
型號:
QJD1210010
製造商:
Powerex, Inc.
描述:
MOSFET 2N-CH 1200V 100A SIC
[LeadFreeStatus]未找到翻译
無鉛/符合RoHS
數量:
60208 Pieces
發貨時間:
1-2 days
數據表:
1.QJD1210010.pdf2.QJD1210010.pdf

簡單介紹

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產品特性

狀況 New and Original
來源 Contact us
分銷商 Boser Technology
VGS(TH)(最大)@標識:5V @ 10mA
供應商設備封裝:Module
系列:-
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓:25 mOhm @ 100A, 20V
功率 - 最大:1080W
封装:Bulk
封裝/箱體:Module
工作溫度:-40°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型:Chassis Mount
濕度敏感度等級(MSL):1 (Unlimited)
無鉛狀態/ RoHS狀態:Lead free / RoHS Compliant
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds:10200pF @ 800V
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs:500nC @ 20V
FET型:2 N-Channel (Dual)
FET特點:Silicon Carbide (SiC)
漏極至源極電壓(Vdss):1200V (1.2kV)
詳細說明:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 1200V (1.2kV) 100A (Tc) 1080W Chassis Mount Module
電流 - 25°C連續排水(Id):100A (Tc)
Email:[email protected]

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