PQMH2Z - Nexperia 晶體管 - 雙極（BJT） - 陣列，預偏置

PQMH2Z

簡單介紹

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狀況	New and Original
來源	Contact us
分銷商	Boser Technology
電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:	50V
Vce飽和（最大）@ IB，IC:	150mV @ 500µA, 10mA
晶體管類型:	2 NPN - Pre-Biased (Dual)
供應商設備封裝:	DFN1010B-6
系列:	Automotive, AEC-Q101
電阻器 - 發射器底座（R2）:	47 kOhms
電阻器 - 基座（R1）:	47 kOhms
功率 - 最大:	230mW
封装:	Tape & Reel (TR)
封裝/箱體:	6-XFDFN Exposed Pad
其他名稱:	1727-2717-2 568-13238-2 568-13238-2-ND 934069738147 PQMH2Z-ND
安裝類型:	Surface Mount
濕度敏感度等級（MSL）:	1 (Unlimited)
製造商標準交貨期:	8 Weeks
無鉛狀態/ RoHS狀態:	Lead free / RoHS Compliant
頻率 - 轉換:	230MHz
詳細說明:	Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 230MHz 230mW Surface Mount DFN1010B-6
直流電流增益（HFE）（最小值）@ IC，的Vce:	80 @ 5mA, 5V
電流 - 集電極截止（最大）:	1µA
電流 - 集電極（Ic）（最大）:	100mA
Email:	[email protected]