| État | New and Original |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Distributeur | Boser Technology |
| Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max): | 50V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: | 150mV @ 500µA, 10mA |
| Transistor Type: | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
| Package composant fournisseur: | DFN1010B-6 |
| Séries: | Automotive, AEC-Q101 |
| Résistance - Base de l'émetteur (R2): | 47 kOhms |
| Résistance - Base (R1): | 47 kOhms |
| Puissance - Max: | 230mW |
| Emballage: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte: | 6-XFDFN Exposed Pad |
| Autres noms: | 1727-2717-2 568-13238-2 568-13238-2-ND 934069738147 PQMH2Z-ND |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant: | 8 Weeks |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Fréquence - Transition: | 230MHz |
| Description détaillée: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 230MHz 230mW Surface Mount DFN1010B-6 |
| Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: | 80 @ 5mA, 5V |
| Courant - Collecteur Cutoff (Max): | 1µA |
| Courant - Collecteur (Ic) (max): | 100mA |
| Email: | [email protected] |
