| Condição | New and Original |
|---|---|
| Origem | Contact us |
| Distribuidor | Boser Technology |
| Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max): | 50V |
| Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic: | 150mV @ 500µA, 10mA |
| Tipo transistor: | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | DFN1010B-6 |
| Série: | Automotive, AEC-Q101 |
| Resistor - Base do Emissor (R2): | 47 kOhms |
| Resistor - Base (R1): | 47 kOhms |
| Power - Max: | 230mW |
| Embalagem: | Tape & Reel (TR) |
| Caixa / Gabinete: | 6-XFDFN Exposed Pad |
| Outros nomes: | 1727-2717-2 568-13238-2 568-13238-2-ND 934069738147 PQMH2Z-ND |
| Tipo de montagem: | Surface Mount |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tempo de entrega padrão do fabricante: | 8 Weeks |
| Status sem chumbo / status de RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Frequência - Transição: | 230MHz |
| Descrição detalhada: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 230MHz 230mW Surface Mount DFN1010B-6 |
| DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce: | 80 @ 5mA, 5V |
| Atual - Collector Cutoff (Max): | 1µA |
| Atual - Collector (Ic) (Max): | 100mA |
| Email: | [email protected] |
