FDD14AN06LA0
型號:
FDD14AN06LA0
製造商:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
描述:
MOSFET N-CH 60V 50A D-PAK
[LeadFreeStatus]未找到翻译
無鉛/符合RoHS
數量:
71268 Pieces
發貨時間:
1-2 days
數據表:
FDD14AN06LA0.pdf

簡單介紹

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產品特性

狀況 New and Original
來源 Contact us
分銷商 Boser Technology
VGS(TH)(最大)@標識:3V @ 250µA
Vgs(最大):±20V
技術:MOSFET (Metal Oxide)
供應商設備封裝:TO-252AA
系列:PowerTrench®
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓:11.6 mOhm @ 50A, 10V
功率耗散(最大):125W (Tc)
封装:Tape & Reel (TR)
封裝/箱體:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
工作溫度:-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型:Surface Mount
濕度敏感度等級(MSL):1 (Unlimited)
無鉛狀態/ RoHS狀態:Lead free / RoHS Compliant
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds:2810pF @ 25V
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs:32nC @ 5V
FET型:N-Channel
FET特點:-
驅動電壓(最大Rds開,最小Rds開):5V, 10V
漏極至源極電壓(Vdss):60V
詳細說明:N-Channel 60V 9.5A (Ta), 50A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount TO-252AA
電流 - 25°C連續排水(Id):9.5A (Ta), 50A (Tc)
Email:[email protected]

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