FDD14AN06LA0
Artikelnummer:
FDD14AN06LA0
Hersteller:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung:
MOSFET N-CH 60V 50A D-PAK
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Bleifrei / RoHS-konform
Anzahl:
71268 Pieces
Lieferzeit:
1-2 days
Datenblatt:
FDD14AN06LA0.pdf

Einführung

FDD14AN06LA0 bester Preis und schnelle Lieferung.
BOSER Technology ist der Distributor für FDD14AN06LA0, wir haben die Lagerbestände für den sofortigen Versand und auch für Langzeitbelieferung. Bitte senden Sie uns Ihren Kaufplan für FDD14AN06LA0 per E-Mail, wir geben Ihnen den besten Preis entsprechend Ihres Plans.
Unsere E-Mail: [email protected]

Spezifikation

Bedingung New and Original
Ursprung Contact us
Verteiler Boser Technology
VGS (th) (Max) @ Id:3V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse:TO-252AA
Serie:PowerTrench®
Rds On (Max) @ Id, Vgs:11.6 mOhm @ 50A, 10V
Verlustleistung (max):125W (Tc)
Verpackung:Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Betriebstemperatur:-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart:Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL):1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status:Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:2810pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:32nC @ 5V
Typ FET:N-Channel
FET-Merkmal:-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On):5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss):60V
detaillierte Beschreibung:N-Channel 60V 9.5A (Ta), 50A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:9.5A (Ta), 50A (Tc)
Email:[email protected]

Schnell Angebot anfordern

Artikelnummer
Anzahl
Unternehmen
Email
Telefon
Bemerkung/Erläuterung