FDD1600N10ALZD
FDD1600N10ALZD
型號:
FDD1600N10ALZD
製造商:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
描述:
MOSFET N-CH 100V 6.8A TO252-5L
[LeadFreeStatus]未找到翻译
無鉛/符合RoHS
數量:
65518 Pieces
發貨時間:
1-2 days
數據表:
FDD1600N10ALZD.pdf

簡單介紹

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產品特性

狀況 New and Original
來源 Contact us
分銷商 Boser Technology
VGS(TH)(最大)@標識:2.8V @ 250µA
Vgs(最大):±20V
技術:MOSFET (Metal Oxide)
供應商設備封裝:TO-252-5
系列:PowerTrench®
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓:160 mOhm @ 3.4A, 10V
功率耗散(最大):14.9W (Tc)
封装:Cut Tape (CT)
封裝/箱體:TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
其他名稱:FDD1600N10ALZDCT
工作溫度:-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型:Surface Mount
濕度敏感度等級(MSL):1 (Unlimited)
製造商標準交貨期:11 Weeks
無鉛狀態/ RoHS狀態:Lead free / RoHS Compliant
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds:225pF @ 50V
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs:3.61nC @ 10V
FET型:N-Channel
FET特點:-
驅動電壓(最大Rds開,最小Rds開):5V, 10V
漏極至源極電壓(Vdss):100V
詳細說明:N-Channel 100V 6.8A (Tc) 14.9W (Tc) Surface Mount TO-252-5
電流 - 25°C連續排水(Id):6.8A (Tc)
Email:[email protected]

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