| Şart | New and Original |
|---|---|
| Menşei | Contact us |
| Distribütör | Boser Technology |
| Gerilim - Deney: | 830pF @ 25V |
| Gerilim - Arıza: | D-Pak |
| Id @ Vgs (th) (Max): | 235 mOhm @ 8A, 10V |
| teknoloji: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Dizi: | HEXFET® |
| RoHS Durumu: | Tape & Reel (TR) |
| Id, VGS @ rds On (Max): | 13A (Tc) |
| polarizasyon: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Çalışma sıcaklığı: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| bağlantı Tipi: | Surface Mount |
| Nem Duyarlılığı Seviyesi (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Üretici parti numarası: | IRFR13N20DTRR |
| Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds: | 38nC @ 10V |
| Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs: | 5.5V @ 250µA |
| FET Özelliği: | N-Channel |
| Genişletilmiş Açıklama: | N-Channel 200V 13A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount D-Pak |
| Kaynak Gerilim boşaltın (VDSlerin): | - |
| Açıklama: | MOSFET N-CH 200V 13A DPAK |
| Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id): | 200V |
| kapasitans Oranı: | 110W (Tc) |
| Email: | [email protected] |
