| Stan | New and Original |
|---|---|
| Pochodzenie | Contact us |
| Dystrybutor | Boser Technology |
| Napięcie - Test: | 830pF @ 25V |
| Napięcie - Podział: | D-Pak |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 235 mOhm @ 8A, 10V |
| Technologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Seria: | HEXFET® |
| Stan RoHS: | Tape & Reel (TR) |
| RDS (Max) @ ID, Vgs: | 13A (Tc) |
| Polaryzacja: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| temperatura robocza: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Numer części producenta: | IRFR13N20DTRR |
| Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds: | 38nC @ 10V |
| Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs: | 5.5V @ 250µA |
| Cecha FET: | N-Channel |
| Rozszerzony opis: | N-Channel 200V 13A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount D-Pak |
| Spust do źródła napięcia (Vdss): | - |
| Opis: | MOSFET N-CH 200V 13A DPAK |
| Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C: | 200V |
| Stosunek pojemności: | 110W (Tc) |
| Email: | [email protected] |
