| Состояние | New and Original |
|---|---|
| происхождения | Contact us |
| дистрибьютор | Boser Technology |
| Напряжение - испытания: | 830pF @ 25V |
| Напряжение - Разбивка: | D-Pak |
| Vgs (й) (Max) @ Id: | 235 mOhm @ 8A, 10V |
| Технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Серии: | HEXFET® |
| Статус RoHS: | Tape & Reel (TR) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 13A (Tc) |
| поляризация: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Рабочая Температура: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Тип установки: | Surface Mount |
| Уровень влажности (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Номер детали производителя: | IRFR13N20DTRR |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds: | 38nC @ 10V |
| Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs: | 5.5V @ 250µA |
| FET Характеристика: | N-Channel |
| Расширенное описание: | N-Channel 200V 13A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount D-Pak |
| Слить к источнику напряжения (VDSS): | - |
| Описание: | MOSFET N-CH 200V 13A DPAK |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C: | 200V |
| Коэффициент емкости: | 110W (Tc) |
| Email: | [email protected] |
