| Condição | New and Original |
|---|---|
| Origem | Contact us |
| Distribuidor | Boser Technology |
| Tensão - Teste: | 830pF @ 25V |
| Tensão - Breakdown: | D-Pak |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 235 mOhm @ 8A, 10V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Série: | HEXFET® |
| Status de RoHS: | Tape & Reel (TR) |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS: | 13A (Tc) |
| Polarização: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Temperatura de operação: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montagem: | Surface Mount |
| Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de peça do fabricante: | IRFR13N20DTRR |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 38nC @ 10V |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs: | 5.5V @ 250µA |
| Característica FET: | N-Channel |
| Descrição expandida: | N-Channel 200V 13A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount D-Pak |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss): | - |
| Descrição: | MOSFET N-CH 200V 13A DPAK |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C: | 200V |
| Rácio de capacitância: | 110W (Tc) |
| Email: | [email protected] |
