| Condizione | New and Original |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Distributore | Boser Technology |
| Tensione - Prova: | 830pF @ 25V |
| Tensione - Ripartizione: | D-Pak |
| Vgs (th) (max) a Id: | 235 mOhm @ 8A, 10V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Serie: | HEXFET® |
| Stato RoHS: | Tape & Reel (TR) |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 13A (Tc) |
| Polarizzazione: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | IRFR13N20DTRR |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 38nC @ 10V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 5.5V @ 250µA |
| Caratteristica FET: | N-Channel |
| Descrizione espansione: | N-Channel 200V 13A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount D-Pak |
| Tensione drain-source (Vdss): | - |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 200V 13A DPAK |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 200V |
| rapporto di capacità: | 110W (Tc) |
| Email: | [email protected] |
