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집 > 제품 센터 > 이산 반도체 제품 > 트랜지스터-양극 (bjt)-배열, 프리 바이어스 > XN0431200L
XN0431200L
XN0431200L
제품 모델:
XN0431200L
제조사:
Panasonic
기술:
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W MINI6
[LeadFreeStatus]未找到翻译
무연 / RoHS 준수
수량:
45769 Pieces
배달 시간:
1-2 days
데이터 시트:
XN0431200L.pdf
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소개

XN0431200L 최고의 가격과 빠른 배달.
BOSER Technology XN0431200L에 대한 유통 업체입니다, 우리는 즉각적인 배송을 위해 주식을 가지고 또한 오랜 시간 동안 공급 가능합니다. XN0431200L 구입 계획을 전자 메일로 보내 주시면 계획에 따라 최상의 가격을 제공 할 것입니다.
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살수 장치 Boser Technology
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대):50V
IB, IC에서 @ VCE 채도 (최대):250mV @ 300µA, 10mA
트랜지스터 유형:1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
제조업체 장치 패키지:MINI6-G1
연속:-
저항기 - 이미 터베이스 (R2):22 kOhms
저항기 -베이스 (R1):22 kOhms
전력 - 최대:300mW
포장:Cut Tape (CT)
패키지 / 케이스:SOT-23-6
다른 이름들:XN0431200LCT
XN4312CT
XN4312CT-ND
실장 형:Surface Mount
수분 민감도 (MSL):1 (Unlimited)
무연 여부 / RoHS 준수 여부:Lead free / RoHS Compliant
주파수 - 전환:150MHz, 80MHz
상세 설명:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 150MHz, 80MHz 300mW Surface Mount MINI6-G1
IC에서 @ DC 전류 이득 (HFE) (최소), Vce가:60 @ 5mA, 10V
전류 - 콜렉터 컷오프 (최대):500nA
전류 - 콜렉터 (IC) (최대):100mA
Email:[email protected]

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