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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - Bipolar (BJT) - matrizes, pre-tende > XN0431200L
XN0431200L
XN0431200L
Modelo do Produto:
XN0431200L
Fabricante:
Panasonic
Descrição:
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W MINI6
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade:
45769 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Ficha de dados:
XN0431200L.pdf
inquérito

Introdução

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Especificações

Condição New and Original
Origem Contact us
Distribuidor Boser Technology
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max):50V
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic:250mV @ 300µA, 10mA
Tipo transistor:1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Embalagem do dispositivo fornecedor:MINI6-G1
Série:-
Resistor - Base do Emissor (R2):22 kOhms
Resistor - Base (R1):22 kOhms
Power - Max:300mW
Embalagem:Cut Tape (CT)
Caixa / Gabinete:SOT-23-6
Outros nomes:XN0431200LCT
XN4312CT
XN4312CT-ND
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Frequência - Transição:150MHz, 80MHz
Descrição detalhada:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 150MHz, 80MHz 300mW Surface Mount MINI6-G1
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce:60 @ 5mA, 10V
Atual - Collector Cutoff (Max):500nA
Atual - Collector (Ic) (Max):100mA
Email:[email protected]

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