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STG3P2M10N60B
STG3P2M10N60B
제품 모델:
STG3P2M10N60B
제조사:
STMicroelectronics
기술:
IGBT N-CHAN 600V 19A SEMITOP2
[LeadFreeStatus]未找到翻译
무연 / RoHS 준수
수량:
23968 Pieces
배달 시간:
1-2 days
데이터 시트:
STG3P2M10N60B.pdf
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소개

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BOSER Technology STG3P2M10N60B에 대한 유통 업체입니다, 우리는 즉각적인 배송을 위해 주식을 가지고 또한 오랜 시간 동안 공급 가능합니다. STG3P2M10N60B 구입 계획을 전자 메일로 보내 주시면 계획에 따라 최상의 가격을 제공 할 것입니다.
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살수 장치 Boser Technology
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대):600V
VGE, IC에서 @ (에) VCE (최대):2.5V @ 15V, 7A
제조업체 장치 패키지:SEMITOP®2
연속:SEMITOP®
전력 - 최대:56W
패키지 / 케이스:SEMITOP®2
다른 이름들:497-5216
작동 온도:-40°C ~ 150°C (TJ)
NTC 써미스터:No
실장 형:Chassis Mount
수분 민감도 (MSL):1 (Unlimited)
무연 여부 / RoHS 준수 여부:Lead free / RoHS Compliant
입력 정전 용량 (CIES) @ Vce가:0.72nF @ 25V
입력:Single Phase Bridge Rectifier
IGBT 유형:-
상세 설명:IGBT Module Three Phase Inverter 600V 19A 56W Chassis Mount SEMITOP®2
전류 - 콜렉터 컷오프 (최대):10µA
전류 - 콜렉터 (IC) (최대):19A
구성:Three Phase Inverter
Email:[email protected]

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