STG3P2M10N60B
STG3P2M10N60B
Artikelnummer:
STG3P2M10N60B
Hersteller:
STMicroelectronics
Beschreibung:
IGBT N-CHAN 600V 19A SEMITOP2
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Bleifrei / RoHS-konform
Anzahl:
23968 Pieces
Lieferzeit:
1-2 days
Datenblatt:
STG3P2M10N60B.pdf

Einführung

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Spezifikation

Bedingung New and Original
Ursprung Contact us
Verteiler Boser Technology
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):600V
VCE (on) (Max) @ Vge, Ic:2.5V @ 15V, 7A
Supplier Device-Gehäuse:SEMITOP®2
Serie:SEMITOP®
Leistung - max:56W
Verpackung / Gehäuse:SEMITOP®2
Andere Namen:497-5216
Betriebstemperatur:-40°C ~ 150°C (TJ)
NTC-Thermistor:No
Befestigungsart:Chassis Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL):1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status:Lead free / RoHS Compliant
Eingangskapazität (Cíes) @ VCE:0.72nF @ 25V
Eingang:Single Phase Bridge Rectifier
IGBT-Typ:-
detaillierte Beschreibung:IGBT Module Three Phase Inverter 600V 19A 56W Chassis Mount SEMITOP®2
Strom - Collector Cutoff (Max):10µA
Strom - Kollektor (Ic) (max):19A
Konfiguration:Three Phase Inverter
Email:[email protected]

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