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조건 | New and Original |
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유래 | Contact us |
살수 장치 | Boser Technology |
아이디 @ VGS (일) (최대): | 3.5V @ 250µA |
제조업체 장치 패키지: | PowerPAK® SO-8 Dual |
연속: | TrenchFET® |
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대): | 186 mOhm @ 3A, 10V |
전력 - 최대: | 19.8W |
포장: | Tape & Reel (TR) |
패키지 / 케이스: | PowerPAK® SO-8 Dual |
작동 온도: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
실장 형: | Surface Mount |
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: | 230pF @ 75V |
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs: | 6.5nC @ 7.5V |
FET 유형: | 2 N-Channel (Dual) |
FET 특징: | Standard |
소스 전압에 드레인 (Vdss): | 150V |
상세 설명: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 150V 7.7A (Tc) 19.8W Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual |
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id): | 7.7A (Tc) |
Email: | [email protected] |