RN4984FE,LF(CB
RN4984FE,LF(CB
제품 모델:
RN4984FE,LF(CB
제조사:
Toshiba Semiconductor and Storage
기술:
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
[LeadFreeStatus]未找到翻译
무연 / RoHS 준수
수량:
51218 Pieces
배달 시간:
1-2 days
데이터 시트:
RN4984FE,LF(CB.pdf

소개

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규격

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살수 장치 Boser Technology
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대):50V
IB, IC에서 @ VCE 채도 (최대):300mV @ 250µA, 5mA
트랜지스터 유형:1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
제조업체 장치 패키지:ES6
연속:-
저항기 - 이미 터베이스 (R2):47 kOhms
저항기 -베이스 (R1):47 kOhms
전력 - 최대:100mW
포장:Tape & Reel (TR)
패키지 / 케이스:SOT-563, SOT-666
다른 이름들:RN4984FE(T5L,F,T)
RN4984FE(T5LFT)TR
RN4984FE(T5LFT)TR-ND
RN4984FE,LF(CT
RN4984FELF(CBTR
RN4984FELF(CTTR
RN4984FELF(CTTR-ND
실장 형:Surface Mount
수분 민감도 (MSL):1 (Unlimited)
제조업체 표준 리드 타임:16 Weeks
무연 여부 / RoHS 준수 여부:Lead free / RoHS Compliant
주파수 - 전환:250MHz
상세 설명:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount ES6
IC에서 @ DC 전류 이득 (HFE) (최소), Vce가:80 @ 10mA, 5V
전류 - 콜렉터 컷오프 (최대):100nA (ICBO)
전류 - 콜렉터 (IC) (최대):100mA
Email:[email protected]

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