RN4984FE,LF(CB
RN4984FE,LF(CB
Тип продуктов:
RN4984FE,LF(CB
производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Описание:
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Без свинца / Соответствует RoHS
Количество:
51218 Pieces
Срок поставки:
1-2 days
Техническая спецификация:
RN4984FE,LF(CB.pdf

Введение

RN4984FE,LF(CB лучшая цена и быстрая доставка.
BOSER Technology является дистрибьютором RN4984FE,LF(CB, у нас есть запасы для немедленной доставки, а также доступны для длительной поставки. Пожалуйста, отправьте нам свой план покупки для RN4984FE,LF(CB по электронной почте, мы предложим вам лучшую цену согласно вашему плану.
Наш электронный адрес: [email protected]

Спецификация

Состояние New and Original
происхождения Contact us
дистрибьютор Boser Technology
Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс):50V
Vce Насыщенность (Макс) @ Ib, Ic:300mV @ 250µA, 5mA
Тип транзистор:1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Поставщик Упаковка устройства:ES6
Серии:-
Резистор - основание эмиттера (R2):47 kOhms
Резистор - основание (R1):47 kOhms
Мощность - Макс:100mW
упаковка:Tape & Reel (TR)
Упаковка /:SOT-563, SOT-666
Другие названия:RN4984FE(T5L,F,T)
RN4984FE(T5LFT)TR
RN4984FE(T5LFT)TR-ND
RN4984FE,LF(CT
RN4984FELF(CBTR
RN4984FELF(CTTR
RN4984FELF(CTTR-ND
Тип установки:Surface Mount
Уровень чувствительности влаги (MSL):1 (Unlimited)
Стандартное время изготовления:16 Weeks
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Частота - Переход:250MHz
Подробное описание:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount ES6
DC коэффициент усиления по току (HFE) (Min) @ Ic, Vce:80 @ 10mA, 5V
Ток - Коллектор Граничная (Макс):100nA (ICBO)
Ток - коллектор (Ic) (Макс):100mA
Email:[email protected]

Быстрый запрос Цитировать

Тип продуктов
Количество
Компания
Эл. почта
Телефон
Примечание

Latest Новости