NSTB1002DXV5T1
NSTB1002DXV5T1
제품 모델:
NSTB1002DXV5T1
제조사:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
기술:
TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.5W SOT55
[LeadFreeStatus]未找到翻译
납 함유 / RoHS 비 준수
수량:
93121 Pieces
배달 시간:
1-2 days
데이터 시트:
NSTB1002DXV5T1.pdf

소개

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규격

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살수 장치 Boser Technology
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대):50V, 40V
IB, IC에서 @ VCE 채도 (최대):250mV @ 300µA, 10mA / 400mV @ 5mA, 50mA
트랜지스터 유형:1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
제조업체 장치 패키지:SOT-553
연속:-
저항기 - 이미 터베이스 (R2):47 kOhms
저항기 -베이스 (R1):47 kOhms
전력 - 최대:500mW
포장:Tape & Reel (TR)
패키지 / 케이스:SOT-553
실장 형:Surface Mount
수분 민감도 (MSL):1 (Unlimited)
무연 여부 / RoHS 준수 여부:Contains lead / RoHS non-compliant
주파수 - 전환:250MHz
상세 설명:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP 50V, 40V 100mA, 200mA 250MHz 500mW Surface Mount SOT-553
IC에서 @ DC 전류 이득 (HFE) (최소), Vce가:80 @ 5mA, 10V / 100 @ 1mA, 10V
전류 - 콜렉터 컷오프 (최대):500nA
전류 - 콜렉터 (IC) (최대):100mA, 200mA
Email:[email protected]

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