NSTB1002DXV5T1
NSTB1002DXV5T1
Modello di prodotti:
NSTB1002DXV5T1
fabbricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione:
TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.5W SOT55
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Contiene piombo / RoHS non conforme
Quantità:
93121 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
NSTB1002DXV5T1.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New and Original
Origine Contact us
Distributore Boser Technology
Tensione - rottura collettore-emettitore (max):50V, 40V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic:250mV @ 300µA, 10mA / 400mV @ 5mA, 50mA
Tipo transistor:1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
Contenitore dispositivo fornitore:SOT-553
Serie:-
Resistor - Emitter Base (R2):47 kOhms
Resistor - Base (R1):47 kOhms
Potenza - Max:500mW
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:SOT-553
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS:Contains lead / RoHS non-compliant
Frequenza - transizione:250MHz
Descrizione dettagliata:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP 50V, 40V 100mA, 200mA 250MHz 500mW Surface Mount SOT-553
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce:80 @ 5mA, 10V / 100 @ 1mA, 10V
Corrente - Cutoff collettore (max):500nA
Corrente - collettore (Ic) (max):100mA, 200mA
Email:[email protected]

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